澤攸電鏡高分辨率成像的電鏡

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

澤攸電鏡高分辨率成像的電鏡
澤攸電鏡以高分辨率成像為核心優(yōu)勢(shì)，采用場(chǎng)發(fā)射電子槍，電子束亮度高、束斑小，能捕捉到更細(xì)微的微觀結(jié)構(gòu)。電子槍真空度達(dá)到 1×10??Pa，減少了電子與氣體分子的碰撞，延長(zhǎng)了電子槍的使用壽命。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2025-10-21

廠商性質(zhì)：代理商

訪問量：92

產(chǎn)品咨詢 17701039158

產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

臺(tái)式電鏡&臺(tái)階儀&原位分析

澤攸澤攸臺(tái)式掃描電鏡澤攸臺(tái)階儀澤攸探針臺(tái)及低溫系統(tǒng) 澤攸TEM原位方案(樣品桿) 澤攸SEM原位解決方案

查看全部產(chǎn)品

相關(guān)文章

澤攸臺(tái)式掃描電鏡從“納米之眼”到“智能終端”的精密架構(gòu)

澤攸臺(tái)式掃描電鏡使用指南

1微米誤差=100萬損失？這個(gè)黑科技專治精密測(cè)量“強(qiáng)迫癥”

Sensofar共聚焦白光干涉儀測(cè)量原理

詳細(xì)介紹在線留言

澤攸電鏡高分辨率成像的電鏡

澤攸電鏡以高分辨率成像為核心優(yōu)勢(shì)，采用場(chǎng)發(fā)射電子槍，電子束亮度高、束斑小，能捕捉到更細(xì)微的微觀結(jié)構(gòu)。電子槍真空度達(dá)到 1×10??Pa，減少了電子與氣體分子的碰撞，延長(zhǎng)了電子槍的使用壽命。

加速電壓范圍 10kV-30kV，二次電子像分辨率在 15kV 時(shí)達(dá)到 1.5nm，可清晰觀察到納米顆粒的形態(tài)、納米線的結(jié)構(gòu)等細(xì)節(jié)。放大倍數(shù)覆蓋 500 倍 - 3000000 倍，能滿足納米材料研究的高分辨率需求。束流范圍 0.1pA-10nA，可根據(jù)樣品導(dǎo)電性調(diào)節(jié)，避免電荷積累影響成像質(zhì)量。

樣品室采用無磁設(shè)計(jì)，減少磁場(chǎng)對(duì)電子束的干擾，適合磁性材料的觀察。配備低溫樣品臺(tái)，溫度可達(dá) - 196℃，能觀察生物樣品或易揮發(fā)樣品在低溫環(huán)境下的形貌變化。設(shè)備真空系統(tǒng)采用全無油設(shè)計(jì)，避免了油蒸氣對(duì)樣品的污染，極限真空達(dá) 5×10??Pa。

鏡筒與樣品室的連接部分采用波紋管結(jié)構(gòu)，減少振動(dòng)傳遞，保證高倍成像時(shí)的穩(wěn)定性。操作軟件具備圖像降噪、銳化等處理功能，可提升圖像質(zhì)量，同時(shí)支持三維重構(gòu)，通過多角度成像重建樣品的三維形貌。

使用前需對(duì)電子槍進(jìn)行充分預(yù)熱，通常需要 30 分鐘以上，確保電子束的穩(wěn)定性。在操作過程中，需保持環(huán)境溫度穩(wěn)定在 23℃±1℃，濕度 50%±5%，減少環(huán)境因素對(duì)成像的影響。

在納米材料研究中應(yīng)用廣泛，可觀察碳納米管的生長(zhǎng)形態(tài)、量子點(diǎn)的分布情況；在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，能觀察病毒的結(jié)構(gòu)、細(xì)胞表面的納米突起；在電子器件領(lǐng)域，可分析納米線晶體管的結(jié)構(gòu)與連接狀態(tài)。其高分辨率成像能力為微觀世界的深入探索提供了有力工具。

澤攸電鏡高分辨率成像的電鏡

上一個(gè)：澤攸電鏡集成化分析的電鏡系統(tǒng)