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技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES在可再生能源與下一代電力電子設(shè)備領(lǐng)域,第三代半導(dǎo)體材料的作用日益凸顯。與傳統(tǒng)硅基材料相比,這些先進(jìn)化合物在高溫、高壓和強(qiáng)輻射環(huán)境下表現(xiàn)出更穩(wěn)定的性能,其中合成鉆石(又稱(chēng)人造鉆石)因其獨(dú)特的物理特性成為研究熱點(diǎn)。
合成鉆石脫穎而出得益于以下幾項(xiàng)特性:
耐熱性:能夠承受極duan高溫環(huán)境。
導(dǎo)熱性:具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,有助于器件散熱。
光學(xué)透明度:對(duì)光學(xué)頻率具有高度透明度,適用于光電設(shè)備。
輻射硬度:在輻射環(huán)境下仍能保持結(jié)構(gòu)完整性。
然而,合成鉆石在生長(zhǎng)過(guò)程中即使出現(xiàn)微小缺陷也會(huì)影響其性能。因此,必須在微米或納米尺度上精確測(cè)量其結(jié)構(gòu)完整性,以確保材料滿(mǎn)足苛刻的應(yīng)用要求。
Sensofar S neox光學(xué)干涉測(cè)量技術(shù)為解決這一挑戰(zhàn)提供了方案。該技術(shù)能夠:
捕捉最細(xì)的表面細(xì)節(jié)
精確測(cè)量高深寬比和陡坡結(jié)構(gòu)
減少?gòu)?fù)雜幾何形狀中的測(cè)量誤差
這種精度水平對(duì)于確保合成鉆石滿(mǎn)足下一代電力電子設(shè)備的嚴(yán)格要求至關(guān)重要。在能源和電子領(lǐng)域,材料的性能很大程度上取決于制造過(guò)程中的精確控制和測(cè)量。
S neox系統(tǒng)提供了全面的表面測(cè)量解決方案,能夠應(yīng)對(duì)合成鉆石檢測(cè)中的各種挑戰(zhàn),為第三代半導(dǎo)體材料的研究和質(zhì)量控制提供技術(shù)支持。
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